© The Institution of Electrical Engineers
Es ist ein Ein-Transistor-Speicherelement mit einer neuartigen Verschaltung von Auswahltransistor and Speicherkondensator erläutert. Im Vergleich mit einem Speicherelement herkömmlicher Bauart benötigt der neuartige Entwurf ca. 20% mehr Fläche, die Speicherzeit ist aber, wie Messungen zeigen, um mehr als zwei Zehnerpotenzen günstiger.An improved single-transistor memory cell using a new connection of the selector transistor and the storage capacitor is presented. Compared with a conventional single-transistor memory cell, the area consumption is about 20% larger, but, in contrast, the storage time is increased by at least a factor of 150.
References
-
-
1)
-
A.S. Grove
.
(1967)
, Physics and technology of semiconductor devices.
-
2)
-
Stein, K.U., Sihling, A.: `Semiconductor memory having single transistor storage elements and a flip-flop circuit for the evaluation and regeneration of information', 3 774 137, 1973, US Patent.
-
3)
-
DENNARD, R.H.: ‘Kapazitiver wortorientierter Speicher unter Verwendung von Feldeffekt-Transistoren’. Auslegeschrift 1 774 482, IBM, Fig. 3.
-
4)
-
R. Joynson ,
J. Mundy ,
J. Burgess ,
C. Neugebauer
.
Elimination threshold losses in MOS circuits by bootstrapping using varactor coupling.
IEEE J. Solid-State Circuits
-
5)
-
K.U. Stein ,
H. Friedrich
.
, Ein-Transistor-Speicherelement für eine Dichte von 1600 bit/mm.
http://iet.metastore.ingenta.com/content/journals/10.1049/el_19760110
Related content
content/journals/10.1049/el_19760110
pub_keyword,iet_inspecKeyword,pub_concept
6
6